IGBT mg30g1bl3

Описание IGBT MG30G1BL3

MG30G1BL3 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как:

• Инверторы
• Импульсные источники питания
• Системы управления двигателями
• Промышленные преобразователи частоты

Корпус TO-3P(N), обеспечивающий хорошие тепловые характеристики.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C @25°C) | 30 А |
| Ток коллектора (I_C @100°C) | 15 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_d) | 100 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat) @15A) | 1.8 В |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Диапазон рабочих температур | -55°C ~ +150°C |
| Корпус | TO-3P(N) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRG4PC30U (Infineon)
• HGTG30N60A4D (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели в схемах:

• MG25G1BL3 (25А, 600В)
• MG40G1BL3 (40А, 600В)
• MG30G1BL2 (30А, 500В)

Примечание

При замене IGBT рекомендуется проверять спецификации, особенно параметры V_CE, I_C и V_GE, чтобы избежать повреждения схемы.

Если вам нужна более точная информация по конкретному применению, уточните условия работы (частота, нагрузка, охлаждение).