IGBT mg30g6el2

IGBT MG30G6EL2 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для использования в силовой электронике: инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других устройствах, требующих высокого напряжения и тока.

Основные технические характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 30 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 60 А
• Рассеиваемая мощность (P_D): 160 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1,8 В (при I_C = 30 А)
• Время включения (t_on): ~40 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс
• Корпус: TO-247 (изолированный)
• Температура эксплуатации: от -55°C до +150°C

Парт-номера и аналоги:

• Оригинальный номер: MG30G6EL2 (Mitsubishi Electric)
• Совместимые аналоги:
  • IRG4PH30UD (Infineon)
  • FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
  • H30R1202 (STMicroelectronics)
  • IXGH30N60B (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модули и замены:

Может использоваться в схемах, где применяются IGBT с аналогичными параметрами (600 В, 30 А). Подходит для замены в:

• Инверторах Mitsubishi серии CM
• Модулях Fuji 2MBI
• Драйверах Infineon IR

Применение:

• Силовые инверторы
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты и параметры схемы. Некоторые аналоги могут отличаться по времени переключения или тепловым характеристикам.