IGBT mg30j6es11

Описание IGBT MG30J6ES11

MG30J6ES11 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Высокая скорость переключения
• Встроенный обратный диод (FRD) для защиты от перенапряжений
• Изолированный корпус (TO-247 или аналогичный)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 А (макс.) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А (макс.) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 15 А) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Время включения (t_on) | ~30 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | ~150 нс (тип.) | | Мощность рассеяния (P_D) | ~150 Вт (зависит от охлаждения) | | Корпус | TO-247 (изолированный или нет?) | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |

(Точные значения могут отличаться в зависимости от производителя и даташита.)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW30N60T, IKW30N60H3
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA30N60SMD
• STMicroelectronics: STGW30NC60WD
• Toshiba: GT30J61

Прямые замены (если параметры совпадают):

• MG30J6ES10 (предыдущая версия)
• MG30J6ES12 (возможна модификация)
• MG30J6ES11X (расширенный вариант)

(Рекомендуется проверять даташиты для точного соответствия параметров.)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если вам нужны более точные данные, уточните производителя (Mitsubishi, Fuji, или другой), так как маркировка может различаться.