IGBT mg30v2ys40

Описание IGBT MG30V2YS40

MG30V2YS40 – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных переключающих приложений. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью, что делает его подходящим для:

• Инверторов
• Импульсных источников питания (SMPS)
• Драйверов двигателей
• Сварочного оборудования
• Промышленных преобразователей частоты

Корпус обычно TO-247 (или аналогичный), обеспечивающий хороший теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 400 В |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) |
| Ток коллектора импульсный (I_CM) | 60 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 150 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.5–2.0 В (при номинальном токе) |
| Время включения (t_on) | 30–50 нс |
| Время выключения (t_off) | 100–150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Тип корпуса | TO-247 (возможны варианты TO-3P/TO-264) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (в зависимости от производителя):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N40 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N40A3D (STMicroelectronics)
• IXGH30N40 (IXYS/Littelfuse)

Близкие по характеристикам модели:

• MG25N2YS40 (25А, 400В)
• MG40V2YS40 (40А, 400В)
• IRG4PC40U (35А, 600В)
• FGA25N120ANTD (25А, 1200В)

Примечания по замене

При выборе аналога необходимо учитывать:

1. Напряжение V_CES (400В в данном случае).
2. Ток I_C (30А).
3. Корпус и расположение выводов.
4. Рабочую частоту (влияет на t_on/t_off).

Если требуется повышенная надежность в высокочастотных схемах, лучше выбирать модели с меньшим временем переключения (например, IRG4PH40UD).

Если нужны дополнительные параметры или уточнение аналогов для конкретного применения – уточните условия эксплуатации.