IGBT mg400j1us1

Описание IGBT MG400J1US1

MG400J1US1 — это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Этот модуль имеет высокую перегрузочную способность, низкие потери проводимости и быстрое переключение, что делает его подходящим для высокочастотных преобразователей.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль (N-канальный) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 400 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 800 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 1600 Вт (с теплоотводом) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Время включения (t_on) | ~80 нс | | Время выключения (t_off) | ~200 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.05 °C/Вт | | Корпус | Трехполюсный, с изолированным основанием (обычно TO-247 или аналогичный) | | Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• MG400J1US51 (модификация с улучшенными характеристиками)
• CM400DY-24A (от Powerex / Mitsubishi)
• FF400R06KE3 (Infineon)
• IXGH40N60C2D1 (IXYS)

Частично совместимые замены (с проверкой схемы):

• FGH40N60SFD (Fairchild / ON Semi)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• SKM400GB12T4 (Semikron)

Примечания по замене

1. Напряжение и ток – заменяемый аналог должен иметь не ниже 600 В / 400 А.
2. Корпус и распиновка – важно учитывать механическую совместимость.
3. Термоинтерфейс – при установке нового модуля требуется замена термопасты/прокладки.

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитами производителей.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!