IGBT mg400q1us51

Описание IGBT MG400Q1US51

MG400Q1US51 — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он широко используется в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|----------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 400 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 800 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 1250 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 400 А) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | модульный (например, 62mm или аналогичный) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• MG400Q1US51
• MG400Q1US51-ND (Digi-Key)
• MG400Q1US51-TR (версия с лентой/катушкой)

Совместимые модели и аналоги:

• Infineon: FF400R12KE3, FZ400R12KE3
• Mitsubishi (Renesas): CM400HA-24H
• Fuji Electric: 2MBI400U4A-120
• SEMIKRON: SKM400GB12T4
• IXYS: IXGH48N60A

При замене аналогами важно учитывать распиновку, напряжение и токовые характеристики.

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Электроприводы и сервосистемы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электрический транспорт (тяговые преобразователи)

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики ВАХ или рекомендации по теплоотводу), уточните запрос!