IGBT MG400Q1US65H

Описание IGBT MG400Q1US65H

MG400Q1US65H — это мощный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери при переключении.
• Встроенный антипараллельный диод (FRD) для защиты от обратного напряжения.
• Надежная конструкция корпуса, обеспечивающая хороший теплоотвод.
• Широкий диапазон рабочих температур.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | IGBT с FRD (Fast Recovery Diode) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 650 В |
| Ток коллектора (I_C) | 400 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 800 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 1000 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | ~3.5 мОм |
| Время включения (t_d(on)) | 30 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +175°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF400R65KE3
• Mitsubishi: CM400DY-65H
• Fuji Electric: 2MBI400VXB-650-50
• SEMIKRON: SKM400GB125D

Совместимые модели в схожих линейках:

• MG300Q1US65H (300 А, 650 В)
• MG600Q1US65H (600 А, 650 В)
• MG400Q1US51H (400 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобили и зарядные станции

Если требуется точная замена, рекомендуется сверить параметры с технической документацией производителя.