IGBT MG400V1US51

Описание IGBT MG400V1US51

MG400V1US51 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, сварочных аппаратах и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 400 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 800 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 400 А) |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 1300 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Сопротивление затвор-эмиттер (R_GE) | 2.5 Ом |
| Заряд затвора (Q_g) | 1.2 мкКл |
| Корпус | модульный (Isolated) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и парт-номера:

• Mitsubishi: CM400DY-12NF
• Infineon: FF400R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI400VXB-120-50
• SEMIKRON: SKM400GB12T4

Совместимые модели (зависит от схемы применения):

• Для инверторов: MG300V1US51, MG500V1US51
• Для сварочных аппаратов: MG400V1US52, MG400V1US53 (с улучшенными параметрами охлаждения)
• Для драйверов двигателей: MG400V1US51A (модификация с оптимизированным V_CE(sat))

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet и конфигурацию драйвера затвора.

Нужна дополнительная информация по применению или аналогам?