IGBT MG50J2YS40

Описание IGBT MG50J2YS40

IGBT MG50J2YS40 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии, инверторов и импульсных источников питания. Модуль обладает низкими коммутационными потерями, высокой стойкостью к перегрузкам и стабильной работой в широком диапазоне температур.

Применяется в:

• Промышленных частотных преобразователях
• Сварочных инверторах
• Системах управления электродвигателями
• ИБП и солнечных инверторах

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод (в одном корпусе) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 400 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток короткого замыкания (I_SC) | 100 А (макс.) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт (с теплоотводом) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Время включения (t_on) | 35 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 120 нс (тип.) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW50N60T (600 В, 50 А)
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA50N40 (400 В, 50 А)
• Toshiba: GT50J325 (400 В, 50 А)
• STMicroelectronics: STGW50HF40W (400 В, 50 А)

Парт-номера производителя:

• Mitsubishi Electric: MG50J2YS40
• Альтернативное обозначение: CM50DY-24H (устаревший аналог)

Совместимые модули:

• MG75J2YS40 (75 А, 400 В) – более мощная версия
• MG30J2YS40 (30 А, 400 В) – менее мощная версия

Примечания

• Для надежной работы рекомендуется использовать с радиатором.
• При замене проверяйте распиновку, так как у аналогов может отличаться цоколевка.
• Уточняйте datasheet производителя для точных параметров в вашей схеме.

Если нужны дополнительные аналоги или параметры для конкретного применения – уточните условия эксплуатации.