IGBT MG50J6ES91

Описание и технические характеристики IGBT MG50J6ES91

Описание:
IGBT MG50J6ES91 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и системах управления двигателями. Модуль выполнен в корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение и высокую надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|---------------------------------------|
| Тип устройства | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт (с теплоотводом) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) |
| Пороговое напряжение (V_GE(th)) | 4,0 – 6,0 В |
| Скорость переключения | до 30 кГц |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Температура хранения | от -55°C до +150°C |
| Температура эксплуатации| от -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и совместимые модели:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (ON Semiconductor)
• IXGH50N60B3 (IXYS)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)

Парт-номера производителей:

• Mitsubishi Electric: MG50J6ES91, MG50J6ES51
• Toshiba: GT50J601
• Infineon: IKW50N60T

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы и сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна дополнительная информация по замене или спецификации, уточните условия эксплуатации (частоты, охлаждение и т. д.).