IGBT MG50N2YS1

Описание IGBT MG50N2YS1

MG50N2YS1 — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|-----------------------------------| | Тип устройства | N-канальный IGBT | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 25°C) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный или нет) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полная замена):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N120B3D (Microsemi)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• IXGH50N120B3D (IXYS)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)

Рекомендуемые замены с учетом характеристик:

• Для более высоких токов: MG75N2YS1 (75 А, 1200 В)
• Для низких потерь: IRGP50B120PD1 (Infineon)

Применение

• Силовые инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или схеме замены, укажите условия эксплуатации (нагрузка, температура, частота переключений).