IGBT MG50Q1BS11

Описание IGBT MG50Q1BS11

IGBT MG50Q1BS11 — это мощный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высокочастотных преобразователей, инверторов и импульсных источников питания. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери и устойчивость к перегрузкам, что делает его популярным в промышленных и энергетических приложениях.

Технические характеристики

• Тип: IGBT-модуль (NPT-технология)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1100 В
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 100 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Сопротивление в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 50 А)
• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 300 нс
• Корпус: модуль с изолированным основанием (TO-247 или аналогичный)
• Температура хранения/эксплуатации: -40°C до +150°C

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• Infineon: IKW50N65ET7
• Fuji Electric: 2MBI50U-110
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Совместимые модели (схожие параметры):

• MG50Q1BS12 (1200 В, 50 А)
• MG75Q1BS11 (1100 В, 75 А)
• MG30Q1BS11 (1100 В, 30 А)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Если нужны дополнительные параметры (тепловое сопротивление, графики зависимости тока от температуры и др.), уточните запрос.