IGBT MG50Q1ZS50

Описание IGBT MG50Q1ZS50

MG50Q1ZS50 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и другой силовой электронике.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Производитель | Mitsubishi Electric (возможны аналоги других брендов) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 100 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Корпус | TO-247 (3-выводный) |
| Температура хранения | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные Mitsubishi / Renesas:

• MG50Q1ZS50 (основная маркировка)
• MG50Q1ZS50L (возможна модификация)

Прямые аналоги (совместимые модели от других производителей):

• IRG4PC50U (International Rectifier, 500V, 55A)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semi, 650V, 50A)
• HGTG50N60A4D (Renesas, 600V, 50A)
• STGW50NC60V (STMicroelectronics, 600V, 50A)

Совместимые модули (если используется в сборках)

• CM50DY-12H (Mitsubishi, 600V, 50A, двойной IGBT)
• FS50R06KE3 (Infineon, 600V, 50A, интеллектуальный модуль)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Если нужна более точная замена, рекомендуется проверять даташиты и сравнивать параметры V_CES, I_C и тепловые характеристики.