IGBT MG50Q2YS40

Описание IGBT MG50Q2YS40

IGBT MG50Q2YS40 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, включая:

• Частотные преобразователи
• Инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные сварочные аппараты

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери проводимости
• Быстрое переключение
• Встроенный антипараллельный диод (FRD)
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 400 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.0 В (при 25 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS IXGH50N40
• Infineon IKW50N40T
• Fuji Electric 2MBI50N-040
• Mitsubishi CM50DY-24H

Похожие модели (с другими параметрами):

• MG75Q2YS40 (75 А, 400 В)
• MG30Q2YS40 (30 А, 400 В)
• MG50Q2YS50 (50 А, 500 В)

Примечания

• Перед заменой проверьте соответствие характеристик, особенно напряжения и тока.
• Учитывайте параметры встроенного диода в схемах с обратной ЭДС.
• Рекомендуется использовать термопасту и радиатор для эффективного охлаждения.

Если нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните запрос!