IGBT MG50Q6ES41

Описание IGBT MG50Q6ES41

MG50Q6ES41 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) в корпусе TO-247, предназначенный для высоковольтных и силовых приложений. Этот модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью, что делает его подходящим для использования в:

• Инверторах и преобразователях частоты
• Сварочном оборудовании
• Промышленных электроприводах
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------|-----------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_d(on)) | 24 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (полная замена):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)

Частично совместимые (требуется проверка параметров):

• IXGH50N60B3 (IXYS)
• APT50GR60J (Microchip)
• NGTB50N60S2 (ON Semiconductor)

Парт-номер для заказа:

• MG50Q6ES41 (оригинальный код производителя)

Примечания:

1. Корпус TO-247 обеспечивает хорошее охлаждение, но рекомендуется использовать радиатор.
2. Перед заменой на аналог проверьте:
   • Напряжение V_CES и ток I_C
   • Параметры переключения (t_d(on), t_d(off))
3. Для высокочастотных применений лучше выбрать IGBT с меньшим временем переключения.

Если нужна дополнительная информация по конкретному аналогу или схеме применения — уточните запрос!