IGBT MG600Q1US50

Описание IGBT MG600Q1US50

MG600Q1US50 – это мощный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как промышленные инверторы, сварочное оборудование, электроприводы и системы управления мощностью. Модуль выполнен в корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение и высокую надежность в тяжелых условиях эксплуатации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT-модуль (NPT-технология) | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Ном. ток коллектора (I_C) | 600 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 1200 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | до 2500 Вт (с охлаждением) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (при 600 А) | | Темп. перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.03 °C/Вт | | Корпус | Изолированный модуль (например, 62мм) |

Part-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• MG600Q1US50 (оригинальный номер от производителя)

Совместимые / аналогичные модели:

• CM600DY-24A (Mitsubishi)
• FF600R12ME4 (Infineon)
• 6MBP600RA120 (Fuji Electric)
• PM600CLA120 (Powerex)

При замене учитывайте схему подключения, характеристики и тепловые параметры.

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется точная замена, рекомендуется уточнить datasheet конкретного производителя.