IGBT MG600Q1US61

Описание IGBT MG600Q1US61

MG600Q1US61 — это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и других применений в силовой электронике. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с диодом обратного хода (NPT) | | Макс. напряжение (V_CES) | 600 В | | Ном. ток коллектора (I_C) | 600 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | до 1200 А | | Мощность (P_tot) | ~2000 Вт (с учетом охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 600 А) | | Время переключения | t_on = 80 нс, t_off = 200 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.03 °C/Вт | | Корпус | модуль (Insulated) с изолированным основанием | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

IGBT MG600Q1US61 может быть заменен или аналогами других производителей:

Оригинальные парт-номера:

• MG600Q1US61 (оригинал от Mitsubishi или другого производителя)
• CM600DU-24NFH (аналог от Powerex)
• FZ600R65KE3 (аналог от Infineon)

Совместимые модели:

• SEMiX603GB126HDs (Semikron)
• SKM600GB126D (Semikron)
• FF600R12ME4 (Infineon)

Применение

• Силовые инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Промышленные приводы

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet на соответствие электрическим и тепловым параметрам.

Если нужны дополнительные данные (например, графики характеристик), уточните!