IGBT MG75H2YS1

Описание IGBT модуля MG75H2YS1

MG75H2YS1 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в силовой электронике, включая инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль объединяет в себе IGBT-транзисторы и антипараллельные диоды, обеспечивая высокую эффективность и надежность в импульсных схемах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|--------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 150 А (пиковый) | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~300 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~200 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тип корпуса | TO-247 (или аналогичный изолированный) | | Встроенный диод | Да (антипараллельный, FRD) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (можно использовать как замену):

• MG75H2YL1 (схожие параметры, возможны отличия в корпусе)
• CM75DY-24H (Mitsubishi, 1200V, 75A)
• FF75R12KT4 (Infineon, 1200V, 75A)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• FGA75N60SMD (Fairchild, 600V, 75A) – при пониженном напряжении
• IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200V, 55A) – для менее мощных систем

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужны точные datasheet-параметры или аналоги для конкретной схемы, уточните условия эксплуатации.