IGBT MG75J2YS1

Описание IGBT MG75J2YS1

MG75J2YS1 — это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Отличается высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и высокой стойкостью к перегрузкам. Корпус обеспечивает хороший теплоотвод и электрическую изоляцию.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А |
| Ток коллектора (импульсный, I_CM) | 150 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.1 В (при 75 А) |
| Время включения (t_d(on)) | 50 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 300 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и эквиваленты:

• Infineon: IKW75N120T2
• Fairchild (ON Semiconductor): FGL75N120AND
• STMicroelectronics: STGW75H120DF2
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI75N-120

Совместимые модели в линейке Mitsubishi (если доступны):

• MG75J2YS40 (аналогичный, но с улучшенными характеристиками)
• MG75J2YS50 (версия с повышенной температурной стабильностью)

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Если вам нужна дополнительная информация (графики, даташит), уточните!