IGBT MG75J2YS40

Описание IGBT MG75J2YS40

MG75J2YS40 — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективных силовых приложений, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль сочетает высокую переключательную способность, низкие потери проводимости и устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT с N-каналом + диод |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 150 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.0 В (при I_C = 75 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт |
| Диапазон температур | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный модульный) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• Infineon: IKW75N120T7
• Fuji Electric: 2MBI75U4H-120
• Mitsubishi: CM75DY-24H

Совместимые/альтернативные модели:

• STMicroelectronics: STGW75H120DF2
• ON Semiconductor: NGTB75N120IHLWG
• Toshiba: MG75Q2YS40 (аналог с улучшенными параметрами)

Применение

• Силовые инверторы и преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики характеристик или спецификации от производителя), уточните детали!