IGBT MG75J2YS9

Описание IGBT MG75J2YS9

IGBT MG75J2YS9 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Промышленные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Солнечные инверторы

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Высокая переключающая способность
• Встроенный быстрый диод для защиты от обратного напряжения
• Высокая температурная стабильность

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 45 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 150 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Корпус | TO-247 (или аналог) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальный номер:

• MG75J2YS9

Аналоги и совместимые модели:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA75N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Microsemi)
• IXGH75N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)
• STGW75HF60WD (STMicroelectronics)

Заключение

IGBT MG75J2YS9 подходит для замены в силовых схемах с напряжением до 1200 В и током до 75 А. Для точного подбора аналога рекомендуется сверяться с даташитами, так как параметры могут незначительно отличаться.

Если вам нужна дополнительная информация (например, распиновка или графики характеристик), уточните запрос!