IGBT MG75J6ES40

Описание IGBT MG75J6ES40

IGBT MG75J6ES40 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах. Этот модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения, а также хорошую тепловую стабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод (встроенный обратный диод) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при 75 А) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600 В, 55 А)
• FGA75N60 (Fairchild/ON Semi, 600 В, 75 А)
• HGTG75N60 (Microsemi, 600 В, 75 А)
• IXGH75N60 (IXYS/Littelfuse, 600 В, 75 А)

Совместимые модели в схемах:

• MG75J6ES50 (аналог с более высоким током)
• MG75J6ES50L (модификация с низкими потерями)
• SKM75GB12T4 (модуль IGBT для похожих применений)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Системы электропривода
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверять datasheet и условия работы в конкретной схеме. Некоторые аналоги могут отличаться по характеристикам переключения или тепловым параметрам.