IGBT MG75Q1BS11

Описание IGBT MG75Q1BS11

IGBT MG75Q1BS11 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в инверторах, сварочных аппаратах, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах. Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с диодом обратного хода (NPT) | | Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 45 А | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 75 А) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.42 °C/Вт | | Заряд затвора (Q_g) | 180 нКл | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA75N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW75H120DF2 (STMicroelectronics)
• IXGH75N120B3 (IXYS/Littelfuse)

Примечание: При замене рекомендуется уточнять распиновку и параметры, особенно V_CES и I_C.

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания
• Преобразователи частоты

Если нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните запрос!