IGBT MG75Q2YS1

Описание IGBT MG75Q2YS1

MG75Q2YS1 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективных силовых преобразований в промышленных и автомобильных приложениях. Он имеет низкие потери проводимости и переключения, обеспечивая высокую надежность в инверторах, импульсных источниках питания и электроприводах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|---------------------------------------|
| Тип устройства | IGBT + диод (NPT, 3-й поколение) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 150 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 75 А) |
| Время включения (t_on) | 40 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• Infineon: IKW75N60T
• Fuji Electric: 2MBI75N-060
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• STMicroelectronics: STGW75HF60WD

Совместимые модели (схожие параметры):

• IRG7PH50UD1 (International Rectifier)
• HGTG75N60B3 (Fairchild/ON Semi)
• NX75H60L (IXYS)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Зарядные устройства для электромобилей

Если требуется более точный подбор аналога, рекомендуется проверять даташиты на соответствие по V_CES, I_C и динамическим характеристикам.