IGBT MG75Q2YS42

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT MG75Q2YS42
Описание IGBT модуля MG75Q2YS42
MG75Q2YS42 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с номинальным током 75 А и напряжением 1200 В, предназначенный для высокоэффективных силовых преобразовательных устройств. Модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.
Основные особенности:
- Низкие потери проводимости и переключения
- Встроенный свободно-колебательный диод (FRD)
- Высокая термическая стабильность
- Оптимизированная конструкция для минимизации паразитных индуктивностей
- Изолированный корпус для простого монтажа на радиатор
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Максимальный ток коллектора (IC) | 75 А |
| Импульсный ток коллектора (ICM) | 150 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ≤ 2,0 В |
| Время включения (ton) | ≤ 60 нс |
| Время выключения (toff) | ≤ 180 нс |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ≤ 0,35 °C/Вт |
| Рабочая температура (Tj) | -40 °C ... +150 °C |
| Корпус | Стандартный модуль (например, 62 мм) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и эквиваленты:
- Infineon: FF75R12RT4, FF75R12KE3
- Mitsubishi: CM75DY-12H
- Fuji Electric: 2MBI75S-120
- SEMIKRON: SKM75GB12T4
Совместимые модели (зависит от применения):
- MG75Q1YS40 (аналог с меньшими потерями)
- MG100Q2YS42 (более мощная версия, 100 А)
- MG50Q2YS42 (менее мощный вариант, 50 А)
Применение
- Частотные преобразователи
- Промышленные приводы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Сварочные инверторы
- Электромобильные системы
Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!