IGBT mg75q2ys43

Описание IGBT MG75Q2YS43

IGBT MG75Q2YS43 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других устройствах, требующих высокого напряжения и тока. Он обладает низкими потерями при переключении и высокой надежностью.

Технические характеристики:

• Тип: N-канальный IGBT с диодом
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C) при 25°C: 75 А
• Ток коллектора (I_C) при 100°C: 50 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Диапазон рабочих температур (T_j): от -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (или аналогичный)
• Встроенный обратный диод: Да

Альтернативные парт-номера и совместимые модели:

• Прямые аналоги:
  • Infineon: IKW75N120T2
  • Fuji Electric: 2MBI75S-120
  • Mitsubishi: CM75DY-24H
  • SEMIKRON: SKM75GB12T4
• Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):
  • IRG4PH50UD (International Rectifier, 600 В, 55 А)
  • STGW75HF60WD (STMicroelectronics, 600 В, 75 А)

Применение:

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам схемы.