IGBT MI100H-025

Описание IGBT MI100H-025

IGBT MI100H-025 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, включая инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль обладает высокой перегрузочной способностью, низкими коммутационными потерями и устойчивостью к высоким напряжениям.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------------------------------| | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 100 А | | Ток коллектора при импульсном режиме (I_CM) | 200 А | | Максимальное напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт | | Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 250 нс | | Температура перехода (T_j) | -40 °C до +150 °C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Парт-номера (альтернативные обозначения):

• MI100H025
• MI100H-025A (модификация с улучшенными характеристиками)
• MI100H120 (аналог с аналогичными параметрами)

Совместимые / аналогичные модели:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N120BND (Microsemi)
• IXGH100N120B3 (IXYS)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания

Если требуется более точная информация по замене или специфическим условиям эксплуатации, рекомендуется уточнить у производителя или провести тестирование в конкретной схеме.