IGBT mig50j7csb1w

Описание IGBT модуля MIG50J7CSB1W

MIG50J7CSB1W – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для силовых приложений, таких как инверторы, преобразователи частоты, сварочное оборудование и промышленные приводы. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, обеспечивая высокую эффективность и надежность в работе.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT + диод | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 50 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.0 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C ~ +150°C | | Тип корпуса | 7-контактный (стандартный) | | Производитель | Mitsubishi Electric (возможно) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и cross-reference:

• Mitsubishi Electric:
  • CM50DY-12H
  • CM50DY-12S
• Fuji Electric:
  • 2MBI50N-120
• Infineon:
  • FF50R12RT4
• SEMIKRON:
  • SKM50GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• MIG50J7CSB1W может заменяться на модули с аналогичными параметрами (1200 В, 50 А).
• Подходит для ремонта инверторных сварочных аппаратов, ЧПУ-приводов и других силовых устройств.

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в корпусах.
• Рекомендуется использовать термопасту и радиатор для эффективного охлаждения.

Если у вас есть конкретное применение или схема, уточните – помогу подобрать оптимальный аналог!