IGBT MKI100-12E8

Описание IGBT модуля MKI100-12E8

IGBT модуль MKI100-12E8 – это высоковольтный силовой транзистор с изолированным корпусом, предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through) IGBT, что обеспечивает высокую надежность и устойчивость к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|-----------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (полумост) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ном. ток коллектора (I_C) | 100 А | | Пиковый ток (I_CM) | 200 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 400 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 100 А) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 400 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт | | Корпус | Изолированный (ISO) | | Монтаж | Винтовой |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные аналоги:

• MKI100-12E8 (полное совпадение)
• MKI100-12E8G (версия с улучшенными характеристиками)

Альтернативные модели от других производителей:

• Infineon: FF100R12KE3G
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-120
• Semikron: SKM100GB12T4
• Mitsubishi: CM100DY-12H

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями

Модуль MKI100-12E8 обеспечивает высокую эффективность и надежность в силовых схемах с напряжением до 1200 В. Для замены рекомендуется использовать аналоги с учетом электрических и тепловых параметров.

Если нужны дополнительные данные (например, цоколевка или графики характеристик), уточните!