IGBT MKI50-06A7

IGBT MKI50-06A7: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT MKI50-06A7 – это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в силовой электронике, частотных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой перегрузочной способностью, низкими коммутационными потерями и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток (I_C) | 50 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2.5 В |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.5 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (или аналог) |
| Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60A4D (Microsemi)
• IXGH50N60B3D1 (IXYS)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)

Примечание: Перед заменой модуля необходимо уточнить соответствие характеристик и распиновки.

Если вам нужны дополнительные данные (например, схемы подключения), уточните запрос.