IGBT Mki50-06a7E

Описание IGBT модуля Mki50-06a7E

IGBT-модуль Mki50-06a7E – это силовой полупроводниковый прибор, предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в импульсных и инверторных схемах. Применяется в частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах электропитания.

Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую температурную стабильность и встроенные защитные диоды.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------------|
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) или Trench Gate |
| Макс. напряжение V_CES | 600 В |
| Макс. ток коллектора I_C | 50 А (при 25°C) |
| Ток импульса I_CM | до 100 А (кратковременно) |
| Падение напряжения V_CE(sat) | ~1.8–2.5 В (при ном. токе) |
| Время включения t_d(on) | ~50–100 нс |
| Время выключения t_d(off) | ~100–200 нс |
| Встроенный диод | Да (антипараллельный Flyback) |
| Тепловое сопротивление R_th(j-c) | ~0.3–0.5 °C/Вт |
| Корпус | Изолированный (например, TO-247 или модуль) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

1. Mki50-06a7 (базовая версия без "E")
2. IRG4PH50UD (International Rectifier, 600 В, 50 А)
3. HGTG50N60B3 (ON Semiconductor, 600 В, 50 А)
4. FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semi, 600 В, 50 А)
5. IXGH50N60B3 (IXYS, 600 В, 50 А)

Совместимые модули в схемах:

• CM50DY-12H (Mitsubishi, 600 В, 50 А, dual IGBT)
• SKM50GB063D (Semikron, 600 В, 50 А)
• BSM50GB120DN2 (Infineon, 1200 В, но может использоваться в схемах с запасом по напряжению)

Примечания:

• Перед заменой проверяйте распиновку и параметры в datasheet.
• Для точного подбора учитывайте условия работы (частота переключений, охлаждение).

Если нужен datasheet или уточнение параметров, укажите производителя модуля (Mki50-06a7E может быть кастомной маркировкой).