IGBT MMG100S120B6TN

Описание IGBT MMG100S120B6TN

MMG100S120B6TN – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Microsemi (Microchip Technology), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Модуль выполнен в корпусе 62 мм и оснащен встроенным антипараллельным диодом, что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и систем управления электроприводами.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT с диодом (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 100 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 200 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,0 В (тип.) |
| Встроенный диод | Fast Recovery Diode (FRD) |
| Макс. рабочая температура | 150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Корпус | 62 мм (изолированный) |
| Вес | ~150 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• MMG100S120B6TN (Microsemi)

Совместимые аналоги:

• SKM100GB12T4 (Semikron)
• FF100R12KT4 (Infineon)
• CM100DY-12H (Mitsubishi)
• MG100Q2YS40 (Littelfuse)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Модуль MMG100S120B6TN отличается высокой надежностью и эффективностью, что делает его востребованным в промышленных и энергетических системах.

Если вам нужна дополнительная информация по заменам или схемам подключения, уточните – помогу подобрать оптимальный вариант!