IGBT MOG30J901H

Описание IGBT MOG30J901H

IGBT MOG30J901H – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Он используется в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 900 В)
• Большой ток коллектора (I_C = 60 А)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение и низкие динамические потери
• Встроенный быстрый диод для защиты от обратного напряжения
• Корпус TO-247 (отличный теплоотвод)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 900 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 60 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 120 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при 30 А) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C ~ +150°C |
| Корпус | TO-247 |
| Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier) – 900 В, 55 А, TO-247
• FGA25N120ANTD (Fairchild) – 1200 В, 25 А, TO-247 (менее мощный, но с более высоким напряжением)
• IXGH30N90B (IXYS) – 900 В, 30 А, TO-247
• STGW30NC90KD (STMicroelectronics) – 900 В, 60 А, TO-247

Похожие модели от других производителей:

• HGTG30N60B3 (ON Semiconductor) – 600 В, 60 А, TO-247
• MG100J1US51 (Toshiba) – 1000 В, 100 А, TO-247 (более мощный вариант)

Применение

🔹 Инверторы и частотные преобразователи
🔹 Сварочные аппараты
🔹 Импульсные блоки питания
🔹 Управление электродвигателями
🔹 Системы солнечной энергетики

Если вам нужен точный аналог, важно учитывать напряжение, ток, частоту переключения и параметры встроенного диода. Для замены в критичных схемах рекомендуется проверять datasheet.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь! 🚀