IGBT MSG100U43

Описание IGBT модуля MSG100U43

MSG100U43 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|--------------| | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 100 А | | Импульсный ток коллектора (I_CM) | 200 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 100 А) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C | | Тип корпуса | Стандартный модуль (например, 6-выводной) | | Встроенный диод | Да (антипараллельный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Fuji Electric: 2MBI100U4C-120
• Infineon: FF100R12KT4
• Mitsubishi Electric: CM100DU-24NFH
• Semikron: SKM100GB12T4

Совместимые модели (похожие параметры):

• MSG75U43 (75 А, 1200 В)
• MSG150U43 (150 А, 1200 В)
• IRG4PH40UD (40 А, 1200 В, от International Rectifier)

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электроприводы

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров. Некоторые модули могут отличаться по распиновке или тепловым характеристикам.