IGBT MTP201-G166-E

Описание IGBT MTP201-G166-E

IGBT MTP201-G166-E – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях и системах управления двигателями. Модуль обладает высоким КПД, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

• Тип транзистора: NPT-IGBT (Non-Punch Through)
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
• Ток коллектора (IC @ 25°C / 100°C): 200 А / 130 А
• Максимальный импульсный ток (ICM): 400 А
• Мощность рассеивания (Ptot): 625 Вт
• Напряжение насыщения (VCE(sat)): 2,5 В (при 200 А)
• Время включения (ton): 100 нс
• Время выключения (toff): 350 нс
• Температура перехода (Tj): -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,08 °C/Вт

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• MTP201-G166-E (оригинал)
• CM200DY-24NF (Mitsubishi)
• FZ200R12KE3 (Infineon)
• MBN200H12DF1 (Fuji Electric)

Совместимые модели (с проверкой распиновки):

• SKM200GB12T4 (Semikron)
• MG200Q1US41 (Toshiba)
• BSM200GB120DLC (Eupec/Infineon)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Электроприводы и частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна дополнительная информация по конкретному аналогу или схеме замены, уточните условия эксплуатации (охлаждение, токовая нагрузка).