IGBT mubw15-12a6

Описание IGBT модуля MUBW15-12A6

MUBW15-12A6 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для применения в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы, сварочные аппараты и системы управления электродвигателями. Модуль интегрирует в одном корпусе IGBT-транзисторы и диоды обратного хода (FRD), обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовых схемах.

Основные технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 15 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 30 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 100 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,0 В (типовое)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 0,3 мкс / 0,8 мкс
• Температура эксплуатации: от -40°C до +150°C
• Корпус: стандартный модульный (например, 15-контактный)
• Схема подключения: полумост (Half-Bridge)

Парт-номера и аналоги

• Оригинальный номер: MUBW15-12A6
• Аналоги и совместимые модели:
  • STMicroelectronics: STGW15NC120HD
  • Infineon: IKW15N120H3
  • Fuji Electric: 2MBI15N-120
  • Mitsubishi: CM15DY-12A
  • SEMIKRON: SKM15GB12T4

Совместимые устройства и применение

Модуль MUBW15-12A6 может использоваться в:

• Частотных преобразователях (например, Delta VFD-E, Siemens Micromaster)
• Сварочных инверторах (ESAB, Kemppi, Fubag)
• ИБП и солнечных инверторах
• Промышленных системах управления двигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров и распиновки.