IGBT mubw50-12e8

Описание IGBT-модуля MUBW50-12E8

MUBW50-12E8 – это двухканальный IGBT-модуль, разработанный для применения в силовой электронике. Он используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других устройствах, требующих высокоэффективного управления мощностью. Модуль интегрирует два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, обеспечивая высокую надежность и эффективность в коммутации высоких токов и напряжений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Импульсный ток коллектора (I_CM) | 100 А |
| Макс. мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.5 В (при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_on) | ~100 нс |
| Время выключения (t_off) | ~400 нс |
| Диапазон температур | -40°C до +150°C |
| Корпус | Металло-керамический (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и заменители:

• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRG4PH50UD (Infineon)
• CM50DY-12H (Mitsubishi)

Совместимые модули в том же форм-факторе:

• MUBW50-12E6 (600 В, 50 А)
• MUBW75-12E8 (1200 В, 75 А)
• MUBW50-06E8 (600 В, 50 А)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Модуль MUBW50-12E8 обеспечивает высокую эффективность и надежность, но при замене рекомендуется проверять соответствие характеристик в конкретной схеме.

Если нужны дополнительные параметры (например, тепловое сопротивление, емкости и пр.), уточните запрос!