IGBT MWI50-12A7T

Описание IGBT-модуля MWI50-12A7T

MWI50-12A7T – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в силовой электронике, таких как:

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Инверторы и сварочное оборудование
• Промышленные приводы

Модуль имеет компактную конструкцию с высоким КПД и низкими тепловыми потерями, что делает его подходящим для работы в жестких условиях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (полумостовая сборка) |
| Макс. напряжение VCES | 1200 В |
| Ном. ток коллектора (IC) | 50 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (ICM) | 100 А |
| Мощность (Ptot) | 200 Вт |
| Падение напряжения VCE(sat) | 1.8 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 50 нс |
| Время выключения (toff) | 200 нс |
| Температурный диапазон | -40°C … +150°C |
| Корпус | Изолированный (с базовой платой) |

Совместимые модели и парт-номера

Аналоги и замены:

• Infineon: FF50R12RT4, FF50R12KT3
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI50N-120
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Парт-номера (альтернативные обозначения):

• MWI50-12A7 (упрощенная версия)
• MWI50-12A7T (полная версия с улучшенным теплоотводом)

Примечания

1. Совместимость: При замене на аналог необходимо учитывать параметры VCE, IC и корпус.
2. Охлаждение: Рекомендуется использовать термопасту и радиатор для эффективного отвода тепла.
3. Производитель: Уточните бренд (например, Powerex, Fuji, Infineon), так как маркировка может отличаться.

Если нужна точная замена, лучше сверить datasheet с оригиналом. Нужна дополнительная информация?