IGBT NGD8201N 10шт.

Описание IGBT NGD8201N

NGD8201N — это изолированный IGBT-транзистор с интегрированным антипараллельным диодом, предназначенный для управления мощными нагрузками в импульсных схемах. Применяется в инверторах, сварочных аппаратах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | IGBT с диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 20 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 40 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 10 А) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 100 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-263 (D2PAK) |

Эквиваленты и совместимые модели

Парт-номера (аналоги):

• IRGB20B60PD1 (International Rectifier)
• FGA20N60FTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGB20NB60LZ (STMicroelectronics)
• H20R1202 (Infineon)

Совместимые модели (по характеристикам):

• NGD8200N (аналог с меньшим током)
• NGD8202N (модификация с улучшенными параметрами)
• IRGP20B60PD (близкий аналог от IR)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.