IGBT P082A2004

Описание IGBT P082A2004

IGBT P082A2004 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями
• Устройства плавного пуска
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Этот IGBT обладает высокой надежностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики IGBT P082A2004

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | NPT IGBT | | Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 82 А (при 25°C) | | Пиковый ток (I_CM) | 164 А | | Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения V_CE(sat) | 2.1 В (при I_C = 82 А) | | Время включения (t_on) | 65 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• IXGH82N120B3 (IXYS)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW40NC120HD (STMicroelectronics)
• APT50GR120J (Microsemi)

Аналоги с близкими параметрами:

• HGTG20N120BND (Renesas) – 1200 В, 40 А
• FZ3600R12KE3 (Infineon) – модульный IGBT, 1200 В, 360 А

Примечания по замене

1. Корпус и распиновка – при замене проверяйте соответствие корпуса (TO-247, TO-264 и др.).
2. Ток и напряжение – если аналог имеет меньший ток, возможен перегрев.
3. Время переключения – влияет на КПД в высокочастотных схемах.

Если нужны дополнительные аналоги или уточнения – укажите конкретное применение.