IGBT p089a2007

Описание IGBT модуля P089A2007

P089A2007 – это высоковольтный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для мощных импульсных и инверторных применений. Используется в промышленных приводах, источниках бесперебойного питания (ИБП), сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (Half-Bridge или другой конфигурации) | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В (или другое, уточните) | | Номинальный ток (I_C) | 50–100 А (зависит от версии) | | Ток короткого замыкания (I_SC) | До 200 А (импульсный) | | Мощность рассеяния (P_tot) | ~200–300 Вт (с теплоотводом) | | Температура эксплуатации | -40°C до +150°C | | Корпус | Стандартный (например, 62 мм) |

Совместимые модели и парт-номера

Аналоги и замены могут варьироваться в зависимости от производителя. Вот возможные варианты:

• Прямые замены:

  • Infineon: FF100R12KT4, FF75R12KE3
  • Mitsubishi: CM100DY-24H
  • SEMIKRON: SKM100GB12T4

• Альтернативы с похожими параметрами:

  • Fuji Electric: 2MBI100U4B-060
  • IXYS: IXGH100N60B3

Применение и совместимость

Модуль P089A2007 может использоваться в:

• Частотных преобразователях (например, Danfoss VLT, ABB ACS550)
• Сварочных инверторах (Ресанта, Fubag)
• ИБП мощностью 5–20 кВт

Примечание

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet оригинального модуля, так как маркировка может отличаться у разных производителей.

Если у вас есть дополнительные параметры (например, конфигурация модуля или точное напряжение), уточните их для более точного подбора замены.