IGBT P540A09

Описание IGBT P540A09

IGBT P540A09 – это мощный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных системах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT с обратным диодом (NPT, Trench-Gate) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 900 В |
| Ток коллектора (I_C) | 540 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CP) | 1080 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 3120 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C = 540 А) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 350 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.04 °C/Вт |
| Корпус | TO-264 или аналогичный (в зависимости от производителя) |
| Диапазон температур | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут отличаться по характеристикам, поэтому перед заменой рекомендуется проверять даташиты.

Прямые замены (альтернативные модели):

• IXYS IXGN540N90A
• Infineon IGW90N65H5
• Fuji Electric 2MBI540VHG-090
• Mitsubishi CM540DY-12S

Частично совместимые (требуется проверка параметров):

• STMicroelectronics STGW90H65DFB
• ON Semiconductor NGT540N90FL2WG

Примечание

IGBT P540A09 может иметь разные модификации в зависимости от производителя (например, с разными корпусами или дополнительными защитными функциями). Рекомендуется уточнять datasheet конкретного поставщика перед использованием.

Если вам нужен полный даташит или уточнение по аналогам, напишите дополнительно.