IGBT P549A07

Описание IGBT P549A07

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) P549A07 – это мощный полупроводниковый прибор, используемый в силовой электронике для коммутации высоких токов и напряжений. Модуль сочетает в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери проводимости).

Применяется в:

• Инверторах и частотных преобразователях
• Сварочном оборудовании
• Промышленных источниках питания
• Электроприводах и системах управления двигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | IGBT модуль (N-канал) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Пиковый ток (I_CM) | 150 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 75 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный модульный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (cross-reference):

• Infineon: IKW75N60T
• Fairchild (ON Semiconductor): FGH75N60SMD
• STMicroelectronics: STGW75H60DF
• Mitsubishi: CM75DY-12H

Совместимые модели (по характеристикам):

• IR (Infineon): IRG4PH50UD
• Toshiba: GT75Q101
• Fuji Electric: 2MBI75N-060

Примечание

Перед заменой рекомендуется проверить распиновку и условия охлаждения, так как корпусные исполнения могут отличаться. Для точного подбора аналога используйте даташиты производителей.

Если нужны дополнительные параметры (такие как графики зависимости тока от температуры или эквивалентные схемы), уточните запрос.