IGBT P80

IGBT P80: Описание и технические характеристики

Описание:
IGBT P80 — это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), используемый в силовой электронике для управления высокими напряжениями и токами. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах, импульсных источниках питания и других устройствах, требующих эффективного переключения мощных нагрузок.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|-----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 80 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 160 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,1 В (при 40 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (стандартный) |

Парт-номера и совместимые модели:

IGBT P80 может иметь аналоги от различных производителей, включая:

• Infineon: IKW75N120T2, IKW80N120H3
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-120
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• STMicroelectronics: STGW80H65DFB
• ON Semiconductor: NGTB40N120FL3WG

Примечание:
Перед заменой проверяйте распиновку, характеристики и условия эксплуатации, так как параметры могут незначительно отличаться.

Если вам нужны точные аналоги для конкретного применения, уточните схему и рабочие условия.