IGBT pc7MBR25VP120-50

Описание IGBT PC7MBR25VP120-50

PC7MBR25VP120-50 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых приложений, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и промышленные системы управления электроприводами.

Модуль выполнен в компактном корпусе с изолированной базой, что обеспечивает простоту монтажа на радиатор и эффективное охлаждение.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод (полумост) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 25 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CP) | до 50 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~200 Вт (с радиатором) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.5 В (тип.) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | ~100 нс / ~300 нс | | Температура работы | -40°C … +150°C | | Корпус | 25-контактный, изолированный (PC7) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Fuji Electric: 7MBR25VP120-50
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• Infineon: FF75R12RT4
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Совместимые модели (схожие параметры):

• PC7MBR25VP120-50 (оригинал)
• PC7MBR25VP120-50A (модификация с улучшенными характеристиками)
• 7MBR25VP120-50 (аналог Fuji)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet аналога, так как параметры (особенно динамические характеристики) могут незначительно отличаться.