IGBT PGH20016AM

Описание IGBT PGH20016AM

PGH20016AM — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокомощных приложений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярных транзисторов (низкие потери проводимости).

Основные области применения:

• Инверторы и преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные приводы (частотные преобразователи)
• Сварочное оборудование
• Электроприводы

Технические характеристики PGH20016AM

| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 200 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 100 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 400 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,8 В (при I_C = 200 А) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 625 Вт |
| Время включения (t_on) | 120 нс |
| Время выключения (t_off) | 500 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-264 (3-выводной) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (замены):

• IXGH20N160 (IXYS)
• FGA200R16AM (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRG4PH20UD (Infineon)
• CM200DY-24A (Mitsubishi)

Похожие модели (сопоставимые характеристики):

• PGH20030AM (более высокий ток)
• PGH20012AM (меньший ток)
• FF200R16KE3 (Infineon, модуль IGBT)

Примечание

При замене аналогами следует учитывать:

• Рабочее напряжение и ток нагрузки
• Скорость переключения
• Корпус и схему подключения

Если требуется точная замена, рекомендуется сверить datasheet оригинального и альтернативного компонента.