IGBT PM200DSA

Описание IGBT PM200DSA

IGBT PM200DSA – это силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для:

• Промышленных инверторов и преобразователей
• Систем управления электродвигателями
• Источников бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочного оборудования
• Тяговых приводов

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------|----------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 200 А |
| Ток импульсный (I_CM) | до 400 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 200 А) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | до 600 Вт |
| Температура кристалла (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт |
| Корпус | модульный (например, 62 мм × 34 мм) |
| Встроенный диод | Да (антипараллельный) |

Парт-номера и совместимые модели

Основной парт-номер:

• PM200DSA (оригинальная версия)

Аналоги и совместимые модели:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA200N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH20N60C3D1 (IXYS)
• STGW40H60DF (STMicroelectronics)
• CM200DY-24NF (Mitsubishi)

Замены в зависимости от параметров:

• Для более высокого тока: PM300DSA, CM300DY-24NF
• Для более высокого напряжения: PM200DSA120 (1200 В)

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как корпуса могут отличаться.
• Для эффективного охлаждения рекомендуется использовать термопасту и радиатор.
• Уточняйте datasheet производителя для точных параметров в вашей схеме.

Если нужны дополнительные данные (например, графики зависимости тока от температуры), уточните – помогу найти!