IGBT PM25RHD120

Описание IGBT PM25RHD120

PM25RHD120 – это IGBT-транзистор с интегрированным ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247, предназначенный для высокоэффективных силовых преобразователей. Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании, электроприводах и промышленных системах управления.

Ключевые преимущества:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (1200 В)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение и устойчивость к коротким замыканиям
• Встроенный антипараллельный диод для защиты от обратных токов

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 25 А (непрерывный) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А (непрерывный) | | Импульсный ток (I_CM) | 50 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) при I_C = 25 А | | Встроенный диод (FWD) | Да (Ultra-Fast) | | Обратное напряжение диода (V_RRM) | 1200 В | | Время включения (t_on) | 35 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) | | Корпус | TO-247 (3 вывода) | | Рабочая температура | -55°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IRG4PH50UD (1200 В, 40 А, TO-247AC)
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120 (1200 В, 200 А, модуль)
• Mitsubishi: CM75DY-24H (1200 В, 75 А, модуль)
• STMicroelectronics: STGW40H120DF2 (1200 В, 40 А, TO-247)

Парт-номера от других производителей:

• IXYS: IXGH40N120B3 (1200 В, 40 А, TO-247)
• Toshiba: GT50J323 (1200 В, 50 А, TO-247)

Примечание: При замене учитывайте различия в токах, тепловых характеристиках и корпусах.

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электромобили и зарядные станции

Если нужна спецификация для конкретной замены, уточните условия работы (ток, частота переключений, охлаждение).