IGBT pm25rsk120

Описание IGBT PM25RSK120

PM25RSK120 — это IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247, предназначенный для высокоэффективных импульсных преобразователей, инверторов и промышленных приводов. Обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для применения в силовой электронике, источниках бесперебойного питания (ИБП), сварочных инверторах и электроприводах.

Технические характеристики

Основные параметры IGBT:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 25 А
• Ток коллектора (I_C при 100°C): 15 А
• Максимальная импульсная мощность (P_tot): 250 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 25 А)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс

Встроенный диод (FRD):

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 25 А
• Время восстановления (t_rr): 120 нс

Тепловые параметры:

• Тепловое сопротивление (R_thJC): 0,75 °C/Вт
• Максимальная температура перехода (T_j): 150 °C

Корпус:

• TO-247 (3 вывода)

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N120B3D (Microsemi)
• IXGH25N120B3D1 (IXYS)

Частично совместимые модели (с проверкой характеристик):

• STGW25H120DF (STMicroelectronics)
• NGTB25N120LWG (ON Semiconductor)
• APT25GR120J (Microchip)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• ИБП и солнечные инверторы
• Промышленные электроприводы
• Индукционные нагреватели

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется сверить datasheet, особенно параметры V_CE(sat) и t_rr встроенного диода.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!