IGBT PM50B4LA060

Описание IGBT PM50B4LA060

IGBT PM50B4LA060 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает в себе высокое напряжение, низкие потери проводимости и переключения, а также устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT + диод (полумост) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 50 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 25 А) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.75 °C/Вт |
| Корпус | модульный, изолированный |
| Встроенный диод | есть (антипараллельный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• PM50B4LA060 (оригинал)
• PM50B4LD060 (аналог с улучшенными характеристиками)
• CM50DY-24H (Mitsubishi)
• SKM50GB063D (Semikron)
• FF50R06RT4 (Infineon)

Совместимые модели в схемах:

• PM30B4LA060 (30 А, 600 В) – для меньших нагрузок
• PM75B4LA060 (75 А, 600 В) – для больших токов

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.